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codice articolo del costruttore | IHB4BV2R2M |
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Numero di parte futuro | FT-IHB4BV2R2M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHB |
IHB4BV2R2M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 2.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 33.8A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 2 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 130°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 1.600" Dia (40.64mm) |
Altezza - Seduto (max) | 1.030" (26.16mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB4BV2R2M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IHB4BV2R2M-FT |
IHB2EB1R2M
Vishay Dale
IHB2EB1R5M
Vishay Dale
IHB2EB1R8M
Vishay Dale
IHB2EB220K
Vishay Dale
IHB2EB221K
Vishay Dale
IHB2EB222K
Vishay Dale
IHB2EB270K
Vishay Dale
IHB2EB271K
Vishay Dale
IHB2EB2R2M
Vishay Dale
IHB2EB2R7M
Vishay Dale
ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel