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codice articolo del costruttore | IHB4BV2R2M |
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Numero di parte futuro | FT-IHB4BV2R2M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHB |
IHB4BV2R2M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 2.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 33.8A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 2 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 130°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 1.600" Dia (40.64mm) |
Altezza - Seduto (max) | 1.030" (26.16mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB4BV2R2M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IHB4BV2R2M-FT |
IHB2EB1R2M
Vishay Dale
IHB2EB1R5M
Vishay Dale
IHB2EB1R8M
Vishay Dale
IHB2EB220K
Vishay Dale
IHB2EB221K
Vishay Dale
IHB2EB222K
Vishay Dale
IHB2EB270K
Vishay Dale
IHB2EB271K
Vishay Dale
IHB2EB2R2M
Vishay Dale
IHB2EB2R7M
Vishay Dale
XC2S15-6TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-2CSG484I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG256M
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40C2
Intel
5SGSMD4E1H29C2LN
Intel
5SGSED6N3F45C2L
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XC5VLX85-3FFG676C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation