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codice articolo del costruttore | IHB2EB271K |
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Numero di parte futuro | FT-IHB2EB271K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHB |
IHB2EB271K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 270µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 2.1A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 213 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 130°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.825" Dia (20.96mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.840" (21.34mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB2EB271K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IHB2EB271K-FT |
S4924R-823H
API Delevan Inc.
S4924R-823J
API Delevan Inc.
S4924R-823K
API Delevan Inc.
S4924R-824H
API Delevan Inc.
S4924R-824J
API Delevan Inc.
S4924R-824K
API Delevan Inc.
S4924R-825H
API Delevan Inc.
S4924R-825J
API Delevan Inc.
S4924R-825K
API Delevan Inc.
IHB1BV100K
Vishay Dale
XC6SLX100-N3FG676I
Xilinx Inc.
5SGXEA5N3F40I4N
Intel
XC5VLX85T-1FFG1136I
Xilinx Inc.
XC4VFX20-10FFG672I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB5H4F35I3N
Intel
EP4CE75F29I7N
Intel
EP20K100EQC208-1X
Intel
EPF10K30EQC208-2X
Intel