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codice articolo del costruttore | IHB4BV100K |
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Numero di parte futuro | FT-IHB4BV100K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHB |
IHB4BV100K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 10µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 21.4A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 5 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 130°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 1.600" Dia (40.64mm) |
Altezza - Seduto (max) | 1.030" (26.16mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB4BV100K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IHB4BV100K-FT |
IHB2BV561K
Vishay Dale
IHB2BV5R6M
Vishay Dale
IHB2BV680K
Vishay Dale
IHB2BV681K
Vishay Dale
IHB2BV820K
Vishay Dale
IHB2BV821K
Vishay Dale
IHB2BV8R2M
Vishay Dale
IHB2EB100K
Vishay Dale
IHB2EB101K
Vishay Dale
IHB2EB102K
Vishay Dale
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel