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codice articolo del costruttore | IHB2EB102K |
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Numero di parte futuro | FT-IHB2EB102K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IHB |
IHB2EB102K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 1mH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 1.1A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 818 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 130°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.825" Dia (20.96mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.840" (21.34mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB2EB102K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IHB2EB102K-FT |
S4924R-682H
API Delevan Inc.
S4924R-682J
API Delevan Inc.
S4924R-682K
API Delevan Inc.
S4924R-683H
API Delevan Inc.
S4924R-683J
API Delevan Inc.
S4924R-683K
API Delevan Inc.
S4924R-684H
API Delevan Inc.
S4924R-684J
API Delevan Inc.
S4924R-684K
API Delevan Inc.
S4924R-685H
API Delevan Inc.
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel