casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / IDT71V416L10PH
codice articolo del costruttore | IDT71V416L10PH |
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Numero di parte futuro | FT-IDT71V416L10PH |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IDT71V416L10PH Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 4Mb (256K x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 10ns |
Tempo di accesso | 10ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 44-TSOP II |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDT71V416L10PH Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IDT71V416L10PH-FT |
R1EX24128BSAS0I#K0
Renesas Electronics America
R1EX24256BSAS0I#K0
Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America
R1EX25064ASA00I#S0
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XC7A50T-3FGG484E
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M1AGL1000V5-FGG484
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A3P250L-VQG100
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5SGXEA4H3F35C4N
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XC6VHX250T-1FF1154I
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XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
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LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel