casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / R1EX24512BSAS0I#S0
codice articolo del costruttore | R1EX24512BSAS0I#S0 |
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Numero di parte futuro | FT-R1EX24512BSAS0I#S0 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
R1EX24512BSAS0I#S0 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 512Kb (64K x 8) |
Frequenza di clock | 1MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | 550ns |
Interfaccia di memoria | I²C |
Tensione - Fornitura | 1.8V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
R1EX24512BSAS0I#S0 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | R1EX24512BSAS0I#S0-FT |
BR24L04FVT-WE2
Rohm Semiconductor
BR24S08FVT-WE2
Rohm Semiconductor
BR24T02FVT-WE2
Rohm Semiconductor
BR24T02FVT-WGE2
Rohm Semiconductor
BR24T08FVT-WE2
Rohm Semiconductor
BR25G128FVT-3GE2
Rohm Semiconductor
BR25G320FVT-3GE2
Rohm Semiconductor
BR25G640FVT-3GE2
Rohm Semiconductor
BR34E02FVT-3E2
Rohm Semiconductor
BR34L02FV-WE2
Rohm Semiconductor
EPF10K30ATI144-3N
Intel
A54SX32A-2FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900I
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A54SX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED6N3F45I4N
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5SGSMD5H2F35I3L
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A40MX04-FPL84
Microsemi Corporation
LFXP6C-4F256I
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LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL150F780I3N
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