casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / IDT71V256SA10Y8
codice articolo del costruttore | IDT71V256SA10Y8 |
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Numero di parte futuro | FT-IDT71V256SA10Y8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IDT71V256SA10Y8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 10ns |
Tempo di accesso | 10ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 28-SOJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDT71V256SA10Y8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IDT71V256SA10Y8-FT |
71256L35YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256SA12YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256L35YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256L25YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256L20YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256L20YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256L20YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256L20YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256L25YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256L25YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
EPF8820ATC144-3
Intel
M2GL025T-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F43C2L
Intel
EP4SE360F35C4
Intel
XC5VLX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
EP3CLS100F780I7
Intel
EP1S25F1020I6N
Intel