casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 71256L35YG
codice articolo del costruttore | 71256L35YG |
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Numero di parte futuro | FT-71256L35YG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
71256L35YG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 35ns |
Tempo di accesso | 35ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 28-SOJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71256L35YG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 71256L35YG-FT |
IDT71V416VL12Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VL12Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VL15Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VL15Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS10Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS10Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS15Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS15Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS15YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS15YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
A42MX36-BGG272
Microsemi Corporation
A3PN125-Z2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C70F672I8
Intel
EP4CGX110DF27C8N
Intel
EP20K30EFI144-2X
Intel
XC7K480T-L2FFG901I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
EP1C12F324C7N
Intel