casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / IDT71016S20YI8
codice articolo del costruttore | IDT71016S20YI8 |
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Numero di parte futuro | FT-IDT71016S20YI8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IDT71016S20YI8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 1Mb (64K x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 20ns |
Tempo di accesso | 20ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 44-SOJ |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDT71016S20YI8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IDT71016S20YI8-FT |
71V416S12BEG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S12BEI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S12BEI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S15BE
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S15BE8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S15BEGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S15BEGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S15BEI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S15BEI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L12BE
IDT, Integrated Device Technology Inc
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel