casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / IDH08G65C5XKSA1
codice articolo del costruttore | IDH08G65C5XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IDH08G65C5XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolSiC™ |
IDH08G65C5XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 8A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 280µA @ 650V |
Capacità @ Vr, F | 250pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-2-2 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDH08G65C5XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IDH08G65C5XKSA1-FT |
DSI30-08AS-TUB
IXYS
DSS10-01AS
IXYS
DSS10-01AS-TUB
IXYS
DSS16-0045AS
IXYS
DSS16-0045AS-TUB
IXYS
DSS16-01AS-TUB
IXYS
DHG60I1200HA
IXYS
DPF60IM400HB
IXYS
DPG60IM400QB
IXYS
DHF30IM600QB
IXYS
XC3S400-5FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FGG256I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C7
Intel
5SGXMB6R1F40C2LN
Intel
XC5VLX110-1FFG1760C
Xilinx Inc.
XC5VLX155T-3FFG1136C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-1BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7U19C8N
Intel