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codice articolo del costruttore | NRVTS360ETFSTAG |
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Numero di parte futuro | FT-NRVTS360ETFSTAG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
NRVTS360ETFSTAG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 6A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 12µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-WDFN (3.3x3.3) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRVTS360ETFSTAG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NRVTS360ETFSTAG-FT |
CD214C-B3100R
Bourns Inc.
CD214C-B340R
Bourns Inc.
CD214C-B360R
Bourns Inc.
CD214C-FS3D
Bourns Inc.
CD214C-FS3G
Bourns Inc.
CD214C-FS3J
Bourns Inc.
CD214C-S3D
Bourns Inc.
CD214C-S3G
Bourns Inc.
CD214C-S3J
Bourns Inc.
CD214C-S3K
Bourns Inc.
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel