casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / HUFA76432S3ST
codice articolo del costruttore | HUFA76432S3ST |
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Numero di parte futuro | FT-HUFA76432S3ST |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UltraFET™ |
HUFA76432S3ST Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 59A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 59A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1765pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 130W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HUFA76432S3ST Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HUFA76432S3ST-FT |
FQB6N50TM
ON Semiconductor
FQB6N60CTM
ON Semiconductor
FQB6N60TM
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FQB6N90TM_AM002
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FQB7N20LTM
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XC3S200-4FTG256I
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XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
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10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel