casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / HUFA75852G3-F085
codice articolo del costruttore | HUFA75852G3-F085 |
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Numero di parte futuro | FT-HUFA75852G3-F085 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ |
HUFA75852G3-F085 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 480nC @ 20V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7690pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 500W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HUFA75852G3-F085 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HUFA75852G3-F085-FT |
GP1M005A050HS
Global Power Technologies Group
GP1M007A090H
Global Power Technologies Group
GP1M008A025HG
Global Power Technologies Group
GP1M008A050HG
Global Power Technologies Group
GP1M008A080H
Global Power Technologies Group
GP1M009A020HG
Global Power Technologies Group
GP1M009A050HS
Global Power Technologies Group
GP1M009A060H
Global Power Technologies Group
GP1M009A090H
Global Power Technologies Group
GP1M010A060H
Global Power Technologies Group
A3P060-1TQ144I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EFI484-2
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5SGXEA4K1F35C2N
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ICE40UL1K-CM36AI
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LFXP6C-5Q208C
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5AGXFB3H4F35C5N
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Intel