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Global Power Technologies Group GP1M009A020HG

Numero parte MFG
GP1M009A020HG
quantità disponibile
14410 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0
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fabbricante
Global Power Technologies Group
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 200V 9A TO220
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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GP1M009A020HG specificazioni

codice articolo del costruttore GP1M009A020HG
Numero di parte futuro FT-GP1M009A020HG
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
GP1M009A020HG Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.6nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 414pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 52W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220
Pacchetto / caso TO-220-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GP1M009A020HG Peso Contattaci
Numero parte di ricambio GP1M009A020HG-FT

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