casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / GP1M009A020HG
codice articolo del costruttore | GP1M009A020HG |
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Numero di parte futuro | FT-GP1M009A020HG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GP1M009A020HG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.6nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 414pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 52W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP1M009A020HG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | GP1M009A020HG-FT |
IRFU9014N
Infineon Technologies
IRFU9024N
Infineon Technologies
IRFU9120N
Infineon Technologies
IRFU9120NPBF
Infineon Technologies
IRFU9N20D
Infineon Technologies
IRLU2703PBF
Infineon Technologies
IRLU3705ZPBF
Infineon Technologies
IRLU3915PBF
Infineon Technologies
IRLU7843PBF
Infineon Technologies
IRLU8256PBF
Infineon Technologies
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel