casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / HUF76633P3-F085
codice articolo del costruttore | HUF76633P3-F085 |
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Numero di parte futuro | FT-HUF76633P3-F085 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ |
HUF76633P3-F085 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 39A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 39A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1820pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 145W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HUF76633P3-F085 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HUF76633P3-F085-FT |
FQP19N20L
ON Semiconductor
FQP1N50
ON Semiconductor
FQP1N60
ON Semiconductor
FQP1P50
ON Semiconductor
FQP20N06TSTU
ON Semiconductor
FQP22P10
ON Semiconductor
FQP24N08
ON Semiconductor
FQP2N30
ON Semiconductor
FQP2N40
ON Semiconductor
FQP2N50
ON Semiconductor
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel