casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / FQP20N06TSTU
codice articolo del costruttore | FQP20N06TSTU |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-FQP20N06TSTU |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | QFET® |
FQP20N06TSTU Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±25V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 590pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 53W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQP20N06TSTU Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FQP20N06TSTU-FT |
FDP023N08B-F102
ON Semiconductor
FDP045N10A-F102
ON Semiconductor
FCP290N80
ON Semiconductor
FQP2N40-F080
ON Semiconductor
BUZ11-NR4941
ON Semiconductor
FDP8447L
ON Semiconductor
FDP030N06B-F102
ON Semiconductor
FDP150N10A-F102
ON Semiconductor
FDP3682
ON Semiconductor
FQP13N50
ON Semiconductor
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel