casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / HUF75645S3S
codice articolo del costruttore | HUF75645S3S |
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Numero di parte futuro | FT-HUF75645S3S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UltraFET™ |
HUF75645S3S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 238nC @ 20V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3790pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 310W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HUF75645S3S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HUF75645S3S-FT |
FQB20N06LTM
ON Semiconductor
FQB20N06TM
ON Semiconductor
FQB22P10TM-F085
ON Semiconductor
FQB24N08TM
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FQB25N33TM
ON Semiconductor
FQB27N25TM_AM002
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FQB2N30TM
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FQB2N50TM
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FQB2N60TM
ON Semiconductor
FQB2N80TM
ON Semiconductor
XC3S400-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CSG325C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K1F35I2N
Intel
XC4020E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX415T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7VX550T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
XCKU5P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFXP10C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation