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ON Semiconductor FQB22P10TM-F085

Name: FQB22P10TM-F085
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQB22P10TM-F085
Availability: InStock
Rating: 4.8 (321 reviews)

Numero parte MFG: FQB22P10TM-F085

quantità disponibile: 26610 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: Automotive, AEC-Q101, QFET® MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: FQB22P10TM-F085.pdf

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FQB22P10TM-F085 specificazioni

codice articolo del costruttore	FQB22P10TM-F085
Numero di parte futuro	FT-FQB22P10TM-F085
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, QFET®
FQB22P10TM-F085 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	22A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 10V
Vgs (massimo)	±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1500pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.75W (Ta), 125W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D²PAK (TO-263AB)
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQB22P10TM-F085 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	FQB22P10TM-F085-FT

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