casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / HUF75631P3
codice articolo del costruttore | HUF75631P3 |
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Numero di parte futuro | FT-HUF75631P3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UltraFET™ |
HUF75631P3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 33A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 33A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 79nC @ 20V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1220pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 120W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HUF75631P3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HUF75631P3-FT |
FQP13N06
ON Semiconductor
FQP14N15
ON Semiconductor
FQP15P12
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A3PE600-2FGG484I
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M1A3P600-2PQ208
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LFE3-35EA-8LFTN256C
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AGLN060V5-ZVQ100
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10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
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LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
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10AX048E2F29I1HG
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EP20K60EQC208-1
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