casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / HUF75344S3ST
codice articolo del costruttore | HUF75344S3ST |
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Numero di parte futuro | FT-HUF75344S3ST |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UltraFET™ |
HUF75344S3ST Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 210nC @ 20V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3200pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 285W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HUF75344S3ST Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HUF75344S3ST-FT |
FQB16N15TM
ON Semiconductor
FQB16N25CTM
ON Semiconductor
FQB16N25TM
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FQB19N10LTM
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FQB19N10TM
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FQB1N60TM
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XC2V250-5FG256I
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M2GL050-FGG484I
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A3P1000-FGG484T
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5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
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XC6VLX550T-2FFG1759C
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XCKU035-L1SFVA784I
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5SGXMA3H1F35C2LN
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