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ON Semiconductor FQB19N10TM

Numero parte MFG
FQB19N10TM
quantità disponibile
23840 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
QFET® MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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FQB19N10TM specificazioni

codice articolo del costruttore FQB19N10TM
Numero di parte futuro FT-FQB19N10TM
SPQ / MOQ Contattaci
Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie QFET®
FQB19N10TM Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 19A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Vgs (massimo) ±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 3.75W (Ta), 75W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore D²PAK (TO-263AB)
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQB19N10TM Peso Contattaci
Numero parte di ricambio FQB19N10TM-FT

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