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codice articolo del costruttore | HBAT-540B-TR1G |
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Numero di parte futuro | FT-HBAT-540B-TR1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HBAT-540B-TR1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky - Single |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 30V |
Corrente - max | 430mA |
Capacità @ Vr, F | - |
Resistenza @ Se, F | - |
Dissipazione di potenza (max) | 825mW |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-323 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HBAT-540B-TR1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HBAT-540B-TR1G-FT |
BA892H6127XTSA1
Infineon Technologies
BA892H6327XTSA1
Infineon Technologies
BA892H6433XTMA1
Infineon Technologies
BA892H6770XTSA1
Infineon Technologies
BA895H6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR 63-02W E6127
Infineon Technologies
BAR 63-02W E6327
Infineon Technologies
BAR 63-02W E6433
Infineon Technologies
BAR 63-02W H6433
Infineon Technologies
BAR6302WH6327XTSA1
Infineon Technologies
XC6SLX150T-3FGG900I
Xilinx Inc.
APA750-PQG208A
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
XC6SLX45-N3CSG324I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFX200EB-03FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K2F35I1SG
Intel
10AX115R4F40E3LG
Intel