casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - RF / HSMS-2817-BLKG
codice articolo del costruttore | HSMS-2817-BLKG |
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Numero di parte futuro | FT-HSMS-2817-BLKG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HSMS-2817-BLKG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky - 1 Bridge |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 20V |
Corrente - max | 1A |
Capacità @ Vr, F | 1.2pF @ 0V, 1MHz |
Resistenza @ Se, F | 15 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Pacchetto / caso | TO-253-4, TO-253AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-143-4 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-2817-BLKG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HSMS-2817-BLKG-FT |
BAR 88-02LRH E6433
Infineon Technologies
BAR6302LE6327XTMA1
Infineon Technologies
BAR6302LE6433XT
Infineon Technologies
BAR6402LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR8802LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR8902LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR8902LRHE6433XTMA1
Infineon Technologies
BAR9002ELSE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR9002LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT1502LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
LFXP3C-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FBV676I
Xilinx Inc.
A3P600-1FG484I
Microsemi Corporation
A3PE1500-2FGG484
Microsemi Corporation
MPF200T-FCG484E
Microsemi Corporation
A3P125-1VQG100T
Microsemi Corporation
EP3C10U256A7N
Intel
10AX027E4F29I3SG
Intel
10AX115S3F45E2LG
Intel