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codice articolo del costruttore | HSMS-2808-TR2G |
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Numero di parte futuro | FT-HSMS-2808-TR2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HSMS-2808-TR2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky - 1 Bridge |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 70V |
Corrente - max | 1A |
Capacità @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Resistenza @ Se, F | 35 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Dissipazione di potenza (max) | - |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Pacchetto / caso | TO-253-4, TO-253AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-143-4 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-2808-TR2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HSMS-2808-TR2G-FT |
BA 892-02L E6327
Infineon Technologies
BAR 50-02L E6327
Infineon Technologies
BAR 64-02LRH E6433
Infineon Technologies
BAR 65-02L E6327
Infineon Technologies
BAR 88-02LRH E6433
Infineon Technologies
BAR6302LE6327XTMA1
Infineon Technologies
BAR6302LE6433XT
Infineon Technologies
BAR6402LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR8802LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR8902LRHE6327XTSA1
Infineon Technologies
XCV600-6FG676C
Xilinx Inc.
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL400V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCF256A7G
Intel
10CL010YM164I7G
Intel
XA6SLX45-2CSG324I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-3BG332I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF35I3
Intel
EP1S30F780C6
Intel