casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - RF / HSMS-2700-TR1
codice articolo del costruttore | HSMS-2700-TR1 |
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Numero di parte futuro | FT-HSMS-2700-TR1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HSMS-2700-TR1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky - Single |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 15V |
Corrente - max | 350mA |
Capacità @ Vr, F | 6.7pF @ 0V, 1MHz |
Resistenza @ Se, F | 650 mOhm @ 100mA, 1MHz |
Dissipazione di potenza (max) | 350mW |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-2700-TR1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HSMS-2700-TR1-FT |
BAR161E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAR6405E6433HTMA1
Infineon Technologies
BAR66E6433HTMA1
Infineon Technologies
BAR6704E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAT1504RE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAT1705E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAT6806E6327HTSA1
Infineon Technologies
HBAT-5400-BLKG
Broadcom Limited
HBAT-5400-TR1
Broadcom Limited
HBAT-5400-TR1G
Broadcom Limited
XC2V4000-4FFG1517C
Xilinx Inc.
AFS1500-1FG484
Microsemi Corporation
A3PE3000-PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
XC2VP50-5FFG1152C
Xilinx Inc.
XC2V4000-5FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP20E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFX200B-04FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGZ225FF35I4N
Intel