casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - RF / HBAT-5400-TR1
codice articolo del costruttore | HBAT-5400-TR1 |
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Numero di parte futuro | FT-HBAT-5400-TR1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HBAT-5400-TR1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky - Single |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 30V |
Corrente - max | 220mA |
Capacità @ Vr, F | - |
Resistenza @ Se, F | - |
Dissipazione di potenza (max) | 250mW |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HBAT-5400-TR1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HBAT-5400-TR1-FT |
HSMS-280L-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-280M-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-280M-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-280M-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-280N-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-280N-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-280N-TR2G
Broadcom Limited
HSMS-280P-BLKG
Broadcom Limited
HSMS-280P-TR1G
Broadcom Limited
HSMS-280P-TR2G
Broadcom Limited
M2GL025T-1VFG256
Microsemi Corporation
M2GL050-VF400
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484C4N
Intel
EP4CE115F23I7
Intel
EP2C8F256C6
Intel
EP2AGX125DF25C6N
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
AX500-FG676I
Microsemi Corporation
EP1K10QC208-1N
Intel