casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HS243100
codice articolo del costruttore | HS243100 |
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Numero di parte futuro | FT-HS243100 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HS243100 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 240A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 860mV @ 240A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 8mA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 6400pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | HALF-PAK |
Pacchetto dispositivo fornitore | HALF-PAK |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS243100 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HS243100-FT |
JAN1N5806US
Microsemi Corporation
JAN1N5804US
Microsemi Corporation
JANTXV1N5802US
Microsemi Corporation
JANTXV1N5804US
Microsemi Corporation
JANTX1N5712-1
Microsemi Corporation
JANTX1N5619
Microsemi Corporation
JANTX1N5617US
Microsemi Corporation
JANTXV1N5614US
Microsemi Corporation
JANTX1N5616US
Microsemi Corporation
JANTX1N5614US
Microsemi Corporation
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel