casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HS1KL RTG
codice articolo del costruttore | HS1KL RTG |
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Numero di parte futuro | FT-HS1KL RTG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HS1KL RTG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS1KL RTG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HS1KL RTG-FT |
ES1FL MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FL RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FL RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FLHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FLHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FLHMQG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FLHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FLHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1FLHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel