casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES1FL RTG
codice articolo del costruttore | ES1FL RTG |
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Numero di parte futuro | FT-ES1FL RTG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES1FL RTG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 300V |
Capacità @ Vr, F | 8pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1FL RTG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES1FL RTG-FT |
SS15L RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS15LHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS15LHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS16L RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS16LHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS16LHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS19L RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS19L RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS19LHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS19LHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel