casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / ES1DLHMQG
codice articolo del costruttore | ES1DLHMQG |
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Numero di parte futuro | FT-ES1DLHMQG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
ES1DLHMQG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1DLHMQG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ES1DLHMQG-FT |
SS12LHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS12LHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13L RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13L RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13LHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13LHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS14L RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS14L RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS14LHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS14LHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC2V1500-5FGG676I
Xilinx Inc.
XC2V500-4FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P250-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
XC4VSX55-11FF1148I
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31C5N
Intel
EP2AGX95EF29I3
Intel
EP20K400BC652-2X
Intel