casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HS1JL MHG
codice articolo del costruttore | HS1JL MHG |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-HS1JL MHG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HS1JL MHG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | Sub SMA |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HS1JL MHG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HS1JL MHG-FT |
ES1DL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DL RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DL RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DLHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DLHMQG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DLHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DLHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DLHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DLHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DLHRVG
Taiwan Semiconductor Corporation
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel