casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / HN58X25256FPIAG#S0
codice articolo del costruttore | HN58X25256FPIAG#S0 |
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Numero di parte futuro | FT-HN58X25256FPIAG#S0 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HN58X25256FPIAG#S0 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frequenza di clock | 5MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.8V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HN58X25256FPIAG#S0 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HN58X25256FPIAG#S0-FT |
BR24T32FVT-WE2
Rohm Semiconductor
BR25G256FVT-3GE2
Rohm Semiconductor
BR25S128FVT-WE2
Rohm Semiconductor
BR25S320FVT-WE2
Rohm Semiconductor
BR25S640FVT-WE2
Rohm Semiconductor
BR24C21FV-E2
Rohm Semiconductor
BR24G01FVT-3AGE2
Rohm Semiconductor
BR24G04FVT-3AGE2
Rohm Semiconductor
BR24G08FVT-3AGE2
Rohm Semiconductor
BR24G16FVT-3AGE2
Rohm Semiconductor
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel