casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / BR25S128FVT-WE2
codice articolo del costruttore | BR25S128FVT-WE2 |
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Numero di parte futuro | FT-BR25S128FVT-WE2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BR25S128FVT-WE2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 128Kb (16K x 8) |
Frequenza di clock | 20MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSSOP-B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR25S128FVT-WE2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BR25S128FVT-WE2-FT |
BR24G04NUX-3ATTR
Rohm Semiconductor
BR24G04NUX-3TTR
Rohm Semiconductor
BR24G08NUX-3ATTR
Rohm Semiconductor
BR24G08NUX-3TTR
Rohm Semiconductor
BR24G128NUX-3ATTR
Rohm Semiconductor
BR24G128NUX-3TTR
Rohm Semiconductor
BR24G16NUX-3ATTR
Rohm Semiconductor
BR24G16NUX-3TTR
Rohm Semiconductor
BR24G32NUX-3ATTR
Rohm Semiconductor
BR24G32NUX-3TTR
Rohm Semiconductor
XA6SLX25-2FTG256I
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
EP1S20F484I6N
Intel
5SEE9F45C2LN
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF29I3
Intel
5SGSMD4H3F35I4N
Intel
EPF6016AFC100-1
Intel