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ON Semiconductor HGTP2N120CN

Numero parte MFG
HGTP2N120CN
quantità disponibile
71740 pezzi
Prezzo di riferimento
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
- IGBT 1200V 13A 104W TO220AB
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - IGBT - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-HGTP2N120CN
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
HGTP2N120CN Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo IGBT NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 13A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 20A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 2.6A
Potenza - Max 104W
Cambiare energia 96µJ (on), 355µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 30nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 25ns/205ns
Condizione di test 960V, 2.6A, 51 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HGTP2N120CN Peso Contattaci
Numero parte di ricambio HGTP2N120CN-FT

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