casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Single / FGH25N120FTDS
codice articolo del costruttore | FGH25N120FTDS |
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Numero di parte futuro | FT-FGH25N120FTDS |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FGH25N120FTDS Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50A |
Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 75A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 25A |
Potenza - Max | 313W |
Cambiare energia | 1.42mJ (on), 1.16mJ (off) |
Tipo di input | Standard |
Carica del cancello | 169nC |
Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 26ns/151ns |
Condizione di test | 600V, 25A, 10 Ohm, 15V |
Tempo di recupero inverso (trr) | 535ns |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FGH25N120FTDS Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FGH25N120FTDS-FT |
IKP06N60TXKSA1
Infineon Technologies
IKP10N60TXKSA1
Infineon Technologies
IKP20N60H3XKSA1
Infineon Technologies
IKP20N65F5XKSA1
Infineon Technologies
IKP40N65H5XKSA1
Infineon Technologies
IKP40N65F5XKSA1
Infineon Technologies
BUP213
Infineon Technologies
IGP01N120H2XKSA1
Infineon Technologies
IGP03N120H2XKSA1
Infineon Technologies
IGP30N65F5XKSA1
Infineon Technologies
XCKU5P-1FFVB676E
Xilinx Inc.
EP4CE15F23C6N
Intel
EP1K50FC256-1
Intel
EP3C10E144I7
Intel
EP4SE530H35I4N
Intel
A40MX02-1PLG44I
Microsemi Corporation
XC5VFX70T-1FF665CES
Xilinx Inc.
A54SX08A-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K60EFC324-1X
Intel