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ON Semiconductor HGTP12N60C3
- Numero parte MFG
- HGTP12N60C3
- quantità disponibile
- 68780 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0
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- Data di spedizione
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- fabbricante
- ON Semiconductor
- Breve descrizione
- - IGBT 600V 24A 104W TO220AB
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - IGBT - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- HGTP12N60C3.pdf
HGTP12N60C3 specificazioni
| codice articolo del costruttore | HGTP12N60C3 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-HGTP12N60C3 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| HGTP12N60C3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo IGBT | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 24A |
| Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 96A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 12A |
| Potenza - Max | 104W |
| Cambiare energia | 380µJ (on), 900µJ (off) |
| Tipo di input | Standard |
| Carica del cancello | 48nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | - |
| Condizione di test | - |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| HGTP12N60C3 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | HGTP12N60C3-FT |
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