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ON Semiconductor HGTD1N120BNS9A

Name: HGTD1N120BNS9A
Brand: ON Semiconductor
SKU: HGTD1N120BNS9A
Price: 0.546592 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (722 reviews)

Numero parte MFG: HGTD1N120BNS9A

quantità disponibile: 16530 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.546592

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: ON Semiconductor

Breve descrizione: - IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - IGBT - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: HGTD1N120BNS9A.pdf

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HGTD1N120BNS9A specificazioni

codice articolo del costruttore	HGTD1N120BNS9A
Numero di parte futuro	FT-HGTD1N120BNS9A
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
HGTD1N120BNS9A Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo IGBT	NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	5.3A
Corrente - Collector Pulsed (Icm)	6A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.9V @ 15V, 1A
Potenza - Max	60W
Cambiare energia	70µJ (on), 90µJ (off)
Tipo di input	Standard
Carica del cancello	14nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C	15ns/67ns
Condizione di test	960V, 1A, 82 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)	-
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-252AA
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HGTD1N120BNS9A Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	HGTD1N120BNS9A-FT

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