casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SF808G C0G
codice articolo del costruttore | SF808G C0G |
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Numero di parte futuro | FT-SF808G C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SF808G C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 50pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SF808G C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SF808G C0G-FT |
TST20H150CW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST20L120CW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST30U60CW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST20U45C C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST10H200CW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST30H150CW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST30L200CW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST20L200CW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST20L60CW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TST30L45CW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel