casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HER306G R0G
codice articolo del costruttore | HER306G R0G |
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Numero di parte futuro | FT-HER306G R0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HER306G R0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 35pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER306G R0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HER306G R0G-FT |
2A02G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
2A06G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
2A07G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
2A07GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
3A100 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
3A100 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
3A60 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
3A60 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
3A60HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR151G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel