casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / 1N5392GHA0G
codice articolo del costruttore | 1N5392GHA0G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-1N5392GHA0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
1N5392GHA0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1.5A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AC, DO-15, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AC (DO-15) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5392GHA0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N5392GHA0G-FT |
1N5392GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5393G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5393GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5395G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5395GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5397G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5397GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5398G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5398GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5399G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel