casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / HER153G R0G
codice articolo del costruttore | HER153G R0G |
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Numero di parte futuro | FT-HER153G R0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HER153G R0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1.5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 35pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AC, DO-15, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AC (DO-15) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER153G R0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HER153G R0G-FT |
HERA807G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR10150 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR16100 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR16100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR16150 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR16150HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR1635 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR1635HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR1645 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR1645HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel