casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / UF1MHB0G
codice articolo del costruttore | UF1MHB0G |
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Numero di parte futuro | FT-UF1MHB0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
UF1MHB0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | - |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 17pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UF1MHB0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UF1MHB0G-FT |
SR006 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR006 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR006 R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR006HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR006HB0G
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SR006HR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR009 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR009 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR009 R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR009HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A40MX02-1VQ80M
Microsemi Corporation
XC4010XL-2PQ100C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208M
Microsemi Corporation
A40MX04-3PL68
Microsemi Corporation
APA600-FG676
Microsemi Corporation
A40MX02-1PQ100
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3LG
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