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codice articolo del costruttore | HCTI-47-10.7 |
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Numero di parte futuro | FT-HCTI-47-10.7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HCTI |
HCTI-47-10.7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Toroidal |
Materiale: core | - |
Induttanza | 47µH |
Tolleranza | ±15% |
Valutazione attuale | 10.7A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 16 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Radial Lead |
Dimensione / Dimensione | 1.280" Dia (32.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HCTI-47-10.7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HCTI-47-10.7-FT |
1110-470K
Bourns Inc.
1110-471K
Bourns Inc.
1110-4R7M
Bourns Inc.
1110-560K
Bourns Inc.
1110-561K
Bourns Inc.
1110-5R6M
Bourns Inc.
1110-680K
Bourns Inc.
1110-6R8M
Bourns Inc.
1110-820K
Bourns Inc.
1110-8R2M
Bourns Inc.
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel