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codice articolo del costruttore | 1110-8R2M |
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Numero di parte futuro | FT-1110-8R2M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | 1110 |
1110-8R2M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 8.2µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 9A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 9 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.660" Dia (16.76mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.840" (21.34mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1110-8R2M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1110-8R2M-FT |
1120-681K-RC
Bourns Inc.
1120-6R8M-RC
Bourns Inc.
1120-100K
Bourns Inc.
1120-120K
Bourns Inc.
1120-121K
Bourns Inc.
1120-122K
Bourns Inc.
1120-150K
Bourns Inc.
1120-180K
Bourns Inc.
1120-181K
Bourns Inc.
1120-182K
Bourns Inc.
XC6SLX45-2FGG676C
Xilinx Inc.
XCKU060-2FFVA1517E
Xilinx Inc.
AT40K10-2DQC
Microchip Technology
5SGXEA9K3H40I3N
Intel
XC5VLX330T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
A3P600-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200ZE-3MG132IR1
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70DF29I3
Intel