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codice articolo del costruttore | HCTI-39-11.2 |
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Numero di parte futuro | FT-HCTI-39-11.2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HCTI |
HCTI-39-11.2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Toroidal |
Materiale: core | - |
Induttanza | 39µH |
Tolleranza | ±15% |
Valutazione attuale | 11.2A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 14 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Radial Lead |
Dimensione / Dimensione | 1.280" Dia (32.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HCTI-39-11.2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HCTI-39-11.2-FT |
1110-820K
Bourns Inc.
1110-8R2M
Bourns Inc.
08450
Bourns Inc.
08440
Bourns Inc.
08342
Bourns Inc.
6000-102K-RC
Bourns Inc.
6000-331K-RC
Bourns Inc.
6000-3R3M-RC
Bourns Inc.
6000-150K-RC
Bourns Inc.
6000-330K-RC
Bourns Inc.
ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel