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codice articolo del costruttore | HCTI-27-15.6 |
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Numero di parte futuro | FT-HCTI-27-15.6 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HCTI |
HCTI-27-15.6 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Toroidal |
Materiale: core | - |
Induttanza | 27µH |
Tolleranza | ±15% |
Valutazione attuale | 15.6A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 8 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Radial Lead |
Dimensione / Dimensione | 1.280" Dia (32.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HCTI-27-15.6 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HCTI-27-15.6-FT |
1110-4R7M
Bourns Inc.
1110-560K
Bourns Inc.
1110-561K
Bourns Inc.
1110-5R6M
Bourns Inc.
1110-680K
Bourns Inc.
1110-6R8M
Bourns Inc.
1110-820K
Bourns Inc.
1110-8R2M
Bourns Inc.
08450
Bourns Inc.
08440
Bourns Inc.
XC2S150-6FG456C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FG456C
Xilinx Inc.
EP2S60F484C3
Intel
5SGXEBBR2H43C2N
Intel
A42MX09-2PL84I
Microsemi Corporation
LFE3-95E-8FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F1508C3N
Intel