casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / HCTI-10-20.0
codice articolo del costruttore | HCTI-10-20.0 |
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Numero di parte futuro | FT-HCTI-10-20.0 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HCTI |
HCTI-10-20.0 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Toroidal |
Materiale: core | - |
Induttanza | 10µH |
Tolleranza | ±15% |
Valutazione attuale | 20A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 5 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Radial Lead |
Dimensione / Dimensione | 1.280" Dia (32.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HCTI-10-20.0 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HCTI-10-20.0-FT |
1110-3R3M
Bourns Inc.
1110-3R9M
Bourns Inc.
1110-470K
Bourns Inc.
1110-471K
Bourns Inc.
1110-4R7M
Bourns Inc.
1110-560K
Bourns Inc.
1110-561K
Bourns Inc.
1110-5R6M
Bourns Inc.
1110-680K
Bourns Inc.
1110-6R8M
Bourns Inc.
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-6900C-5BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-ZVQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2N
Intel
5SGXMB6R2F43I3LN
Intel
EP4SE530H40C3N
Intel
LCMXO256C-3MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB7H4F35C5N
Intel
EP4CE55F29I7
Intel
EPF10K100EQC208-2X
Intel