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codice articolo del costruttore | 1110-3R3M |
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Numero di parte futuro | FT-1110-3R3M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | 1110 |
1110-3R3M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 3.3µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 9A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 5 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.660" Dia (16.76mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.840" (21.34mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1110-3R3M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1110-3R3M-FT |
1120-182K-RC
Bourns Inc.
1120-1R0M-RC
Bourns Inc.
1120-220K-RC
Bourns Inc.
1120-222K-RC
Bourns Inc.
1120-270K-RC
Bourns Inc.
1120-330K-RC
Bourns Inc.
1120-331K-RC
Bourns Inc.
1120-390K-RC
Bourns Inc.
1120-3R3M-RC
Bourns Inc.
1120-3R9M-RC
Bourns Inc.
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel