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Diodes Incorporated HBDM60V600W-7
- Numero parte MFG
- HBDM60V600W-7
- quantità disponibile
- 71940 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0.09672
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- Data di spedizione
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- fabbricante
- Diodes Incorporated
- Breve descrizione
- - TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - Bipolar (BJT) - Array
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- HBDM60V600W-7.pdf
HBDM60V600W-7 specificazioni
| codice articolo del costruttore | HBDM60V600W-7 |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-HBDM60V600W-7 |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| HBDM60V600W-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Active |
| Transistor Type | NPN, PNP |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA, 600mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65V, 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V |
| Potenza - Max | 200mW |
| Frequenza - Transizione | 100MHz |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-363 |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| HBDM60V600W-7 Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | HBDM60V600W-7-FT |
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