casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / HAT2131R-EL-E
codice articolo del costruttore | HAT2131R-EL-E |
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Numero di parte futuro | FT-HAT2131R-EL-E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HAT2131R-EL-E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 350V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 900mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 450mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 460pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta) |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HAT2131R-EL-E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | HAT2131R-EL-E-FT |
2SK3430-AZ
Renesas Electronics America
2SK3430-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3431-AZ
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2SK3431-Z-E1-AZ
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2SK3481-AZ
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N0439N-S19-AY
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NP60N04MUG-S18-AY
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NP60N055MUK-S18-AY
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NP80N055MHE-S18-AY
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NP80N06MLG-S18-AY
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M2GL025T-1VFG256I
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EPF10K10ATC100-1
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EPF10K130EFC484-1N
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5SGSED6K2F40I3L
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5SGSMD8K2F40I2LN
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5SGXEA3K3F35C2N
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XC6VLX240T-L1FFG1759I
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XC4VLX60-12FFG1148C
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XC5VLX30-1FFG676C
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EP20K100FI324-2XV
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